Samsung podría usar la técnica de fabricación de SK Hynix para las memorias HBM ante los problemas de producción

Samsung podría usar la técnica de fabricación de SK Hynix para las memorias HBM ante los problemas de producción

marzo 13, 2024 Desactivado Por

Nuevo rumor realmente preocupante desde Corea del Sur, nuevas declaraciones de una compañía como Samsung desmintiendo todo, y unos porcentajes que no son nada óptimos. El caldo de cultivo en un sector clave como es la memoria para las GPU de IA está servido, y no hay tiempo. Por ello, fuentes de la industria lanzan un argumento realmente verosímil afirmando que Samsung usará la tecnología de fabricación de su más directo rival, SK Hynix, para poder aumentar la tasa de éxito en sus memorias HBM.

Rumor y argumento encima de la mesa, declaraciones de la afectada negando todo y un problema con el rendimiento que, curiosamente, no se soluciona y está por detrás en tiempo frente al sector. ¿De verdad Samsung va a mantener el orgullo intacto a pesar de que el mercado le demanda más y más chips sabiendo que no puede producirlos por diversos problemas? Hagan sus apuestas sobre quién dice la verdad, pero antes, los argumentos.

Samsung se habría rendido ante la técnica de SK Hynix y la usará para mejorar su rendimiento

Es un problema de producción, no de tecnología de memoria HBM3e como tal. Es un quebradero de cabeza sobre cómo mejorar la tasa de acierto de este tipo de memoria cuando decenas de empresas punteras están tocándote a la puerta pidiéndote hasta el último chip que produzcas, una carrera en el tiempo con una tasa de fallos demasiado alta frente a tu competencia, que además, es de tu propio país.

Cinco funcionarios de la industria anónimos han dado la exclusiva desde la propia Corea del Sur afirmando de forma rotunda que Samsung Electronics planea utilizar la tecnología de fabricación para chips de memoria HBM3e de su rival SK Hynix. El objetivo no es solamente poder competir con estos a base de tragarse el orgullo, sino que Micron, que ha adelantado sus planes y ya vimos con su nuevo roadmap, no llegue primero y mejor (cosa muy difícil estando ya a mitad de marzo de 2024).

Ahora mismo, Samsung fabrica HBM3e en 12H con NCF, permitiendo que la altura sea la misma que cuando se tenían 8 capas. Esta mejora en la altura es el principal bastión de defensa de Samsung para su tecnología NCF, lo que mejora también las térmicas en las pilas y con ello, se aumenta el rendimiento.

La parte mala es que es difícil de producir, hasta el punto de que están sobre un 10% a un 20% por detrás de SK Hynix en este punto, y de ahí el rumor sobre el hecho de que Samsung pueda usar MR-MUF de SK Hynix en vez de NCF para HBM3e.

La compañía desmiente la información en un momento donde se dice que hay órdenes de compra a SK Hynix

Es un tira y afloja de manual. Las fuentes dicen que Samsung ha emitido recientemente órdenes de compra para equipos de fabricación de chips de SK Hynix con su tecnología MR-MUF, según tres de los 5 informantes. Alegan además que Samsung está muy preocupada con la tasa de rendimiento y éxito, algo parecido a lo que vimos con su SF3, donde tuvo que pedir ayuda a una empresa americana para poder aumentar la producción. Pues bien, la historia se repite, según el rumor, con SK Hynix:

«Samsung tuvo que hacer algo para aumentar sus rendimientos (de producción) de HBM… Adoptar la técnica MUF es algo así como tragarse el orgullo para Samsung, porque terminó siguiendo la técnica utilizada por primera vez por SK Hynix»

En cambio, al ser preguntada, Samsung lanzó un comunicado oficial desmintiendo todo:

«La tecnología NCF es una «solución óptima» para los productos HBM y se utilizará en los nuevos chips HBM3E. Estamos llevando a cabo nuestro negocio de productos HBM3E según lo planeado. Los rumores de que Samsung aplicará MR-MUF a su producción de HBM no son ciertos.«

Esto puede sonar a un desmentido en toda regla, pero hay que mirar los precedentes de Samsung negando la mayor para terminar admitiendo la realidad finalmente. Por ejemplo, con el comentado nodo SF3 de primera generación con GAA, donde dijeron que las tasas de éxito estaban sobre el 70%, mientras que los rumores decían que había un problema que no sabían solucionar y que realmente estaban con un 40% de producción máxima.

Finalmente, Samsung admitió todo, pero cuando ya habían solucionado con ayuda externa gran parte de todos los problemas. Por tanto, ¿ha vuelto a pasar? ¿Usará Samsung la tecnología MR-MUF de SK Hynix para no perder la oportunidad de la HBM3e en volumen frente a Micron y su más directo rival? En breve tendremos más respuestas.

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